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台积电、三星 EUV 新技术竞赛,7 纳米提前引爆

发表时间:2017-01-23

三星、台积电 10 纳米技能量产,7 纳米制程烽火继续添加!并且跟着要害的微影技能来到瓶颈,7 纳米制程技能也成为新一轮制程技能的要害之战。

除了三星在上一年年中传出急购 EUV 机台,力拼 2017 年末量产 7 纳米,台积电在上星期 12 日法说会首度明确指出,在 7 纳米制程第二年,就会导入 EUV 削减光罩层数,至 5 纳米制程全面选用 EUV。台积电总经理暨一起CEO刘德音曾泄漏,10 纳米与 7 纳米将有 95% 设备是共用,也因而台积电从前标明,至 5 纳米才会正式转进 EUV,如今三星、台积电在 7 纳米将一前一后用上 EUV,领先制程也正式宣告进入新一阶段技能比赛。

跟着领先制程来到 10 纳米以下,制程微缩瓶颈一一显现,尤其是制程中难度最高的微影技能,现在干流多选用 193 纳米浸润式微影技能,但从 65 纳米制程到如今一路打破物理极限至现在 10 纳米,面临的不只是物理上的瓶颈,愈来愈杂乱的图形形成曝光次数添加,光罩本钱也跟着倍增。摩尔定律报价不变,集成电路上可包容的电晶体数量每隔 18~24 个月会添加一倍的方针变得窒碍难行,极紫外光(EUV)微影就被视为摩尔定律能继续往下走的要害。

>EUV 从前因光源强度与出产量未达经济效益,迟迟未能量产。据现在 EUV 设备制造商艾司摩尔(ASML)在上一年 11 月 EUVL Workshops 泄漏的进度,EUV 光源强度已能到达 125W,预计 2018 年能到达光源强度 250W,可支持每小时出产 125 片晶圆的量产方针。到时三星与台积电正好走至 7 纳米制程。间隔台积电 2020 年 5 纳米量产,EUV 或许更能挨近浸润式微影设备每小时能出产 200 片晶圆的出产效益。

晶圆制造商从前已连续装置 EUV 进行试产,三星在 2015 年 7 月即携 IBM,使用 EUV 创造 7 纳米芯片原型,2016 年中再有音讯指出,三星砸重金收购新的 NXE 3400 EUV 机台,将于 7 纳米就导入 EUV 技能以力抗台积电等对手。而台积电从前即具有两台 NXE 3300 EUV 设备,据悉在本年第一季又再引进了两台 NXE 3400,别的,有音讯指出,艾司摩尔大客户在 7 纳米相同有意导入 EUV。从艾司摩尔 18 日的最新数据,加上 2016 年第四季再取得的 4 台订单,现在 EUV 设备累积订单数量已达 18 台。

而 EUV 机台并不廉价,一台 EUV 光刻机要价逾 1 亿美元,是其他微影设备金额的两倍,这场制程比赛,比技能也比银两,amp连接器,竞赛门槛跟着愈垫愈高。


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