如何测量 二极管的泄漏电流
发表时间：2016-07-21
基地议题：
* 二极管的走漏电流的丈量
* MOSFET的亚阈区电流的丈量
解决方案：
* 选用源-丈量单元丈量二极管的走漏电流
* 选用两台SMU来丈量MOSFET的亚阀区电流
测验半导体器材和晶圆片（Wafer）常常要涉及到丈量小电流。其间有些测验作业包含各种走漏电流的丈量。另一些关于晶圆片级半导体的弱电流丈量则一般与介电材料（氧化物或化合物）的质量有关。这些弱电流丈量作业常常运用静电计或源-丈量单元。这篇文章将介绍运用源-丈量单元丈量二极管的走漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current）。
二极管的走漏电流
在理想的情况下，二极管的反向电流应当为零。但是，实际上的确存在着反向电流。衡量二极管质量的一个方面就是在规则的反向偏置电压下的走漏电流。
图1 示出怎么运用236型或6430型SMU来丈量二极管的走漏电流。236型SMU能够以10fA的分辨率丈量泰科连接器，并且输出需要的偏置电压。6430型SMU的分辨率为10aA。源-丈量单元还能够丈量其它的二极管参数，包含正向电压降和击穿电压。
图1 源-丈量单元与二极管的衔接
为了防止静电搅扰导致的误差，应当将二极管放在屏蔽的测验夹具（test fixture）内。该设备还能供给对光的遮蔽。因为二极管的结对光灵敏，这一点也是很重要的。
